Phát triển bóng bán dẫn không silicon nhanh hơn, tiết kiệm điện hơn

Một nhóm các nhà nghiên cứu ĐH Bắc Kinh tuyên bố đã phát triển một bóng bán dẫn không silicon nhanh hơn và tiết kiệm điện hơn so với công nghệ mới nhất trong ngành. Nếu tuyên bố được công bố trên tạp chí Nature Materials (ở London) là chính xác, điều đó có nghĩa là Trung Quốc có công nghệ tiên tiến có thể cạnh tranh với chip của Intel và TSMC, cùng nhiều công ty khác.

Nhóm nghiên cứu đã phát triển 1 bóng bán dẫn 2 chiều sử dụng bismuth oxyselenide. Bóng bán dẫn của nhóm có công nghệ Gate-all-around (GAA), công nghệ bóng bán dẫn hiệu ứng trường mới nhất. Nó thay thế FinFET. Vì GAAFET ít rò rỉ dòng điện hơn và giúp các nhà sản xuất chip tạo ra các bóng bán dẫn ngày càng nhỏ hơn, nên việc đưa GAA vào các nỗ lực thay thế silicon của nhóm nghiên cứu là rất quan trọng.

Điều thú vị là nhóm nghiên cứu cho biết họ đã thử nghiệm công nghệ bóng bán dẫn của riêng mình với công nghệ của Intel, Samsung và TSMC và nó hoạt động tốt hơn tất cả các công nghệ này, theo Tom’s Hardware.

ĐÔNG NGHI

(Nguồn: ExtremeTech)