Một nhóm các nhà nghiên cứu ĐH Hebrew ở Jerusalem đã phát triển một kỹ thuật sản xuất perovskite có thể tái chế được sử dụng trong pin mặt trời (perovskite- khoáng vật oxit dùng làm pin mặt trời). Trong bài báo đăng trên Tạp chí Proceedings of the National Academy of Sciences, nhóm mô tả kỹ thuật và hiệu quả của pin mặt trời sau khi chúng được tái chế.
Một nhóm các nhà nghiên cứu ĐH Hebrew ở Jerusalem đã phát triển một kỹ thuật sản xuất perovskite có thể tái chế được sử dụng trong pin mặt trời (perovskite- khoáng vật oxit dùng làm pin mặt trời). Trong bài báo đăng trên Tạp chí Proceedings of the National Academy of Sciences, nhóm mô tả kỹ thuật và hiệu quả của pin mặt trời sau khi chúng được tái chế.
Khi phần lớn thế giới đang tìm kiếm các nguồn năng lượng xanh hơn, gió, thủy điện, địa nhiệt và năng lượng mặt trời được cho là có triển vọng nhất. Tuy nhiên, thuộc tính vật liệu chế tạo pin được cho là kém xanh và “bẩn”, chúng cũng phải bị phân hủy theo thời gian- nghĩa là chúng sẽ trở thành bãi rác độc hại.
Vì vậy, các nhà khoa học đã tìm kiếm các vật liệu khác để chế tạo. Một trong những triển vọng nhất là perovskite. Các nhà nghiên cứu đã phát triển một phương pháp mới để chế tạo pin mặt trời dựa trên perovskite cho phép hoán đổi perovskite khi nó bắt đầu phân hủy- mà không làm mất hiệu quả.
Kỹ thuật mới của nhóm liên quan đến việc sử dụng mạng lưới tất cả các hạt nano 3 lớp được in trên bề mặt khung cứng để xây dựng cơ sở pin trên perovskite. Các khung như vậy cho phép các perovskite thâm nhập theo cách dẫn đến các mạng hoạt động quang học. Một chất nền được làm bằng các lớp oxit dẫn điện xốp được ngăn cách bằng chất cách điện. Kết quả là thiết kế tạo ra một lớp perovskite dễ dàng tháo lắp và thay thế.
Nhóm nghiên cứu đã thử nghiệm kỹ thuật của họ bằng cách cho một trong các tấm pin hoạt động đủ lâu để phân hủy và sau đó tái chế vật liệu perovskite- sau khi làm như vậy, pin có hiệu suất tương đương với các pin mới.
HẢI HUỲNH
(Nguồn: Proceedings of the National Academy of Sciences)
Thông tin bạn đọc
Đóng Lưu thông tin